Күчтүү жарым өткөргүч аппараттын жаңы типтеги симуляциялык дизайн платформасы жакында Рунау шаарында түзүлгөн.Өркүндөтүлгөн симуляция платформасынын жана айкалыштырылган тесттин жана анализдин жардамы менен аппараттын түзүлүшү жана ага байланыштуу негизги теория боюнча терең изилдөө жемиштүү жүргүзүлдү.Эң алдыңкы теориянын жана изилдөө платформасынын рычагдары компанияны 5 дюймдук тиристордук чиптин, GTO жана IGCTтин негизги иштетүү технологиясын иштеп чыгууга жана өздөштүрүүсүнө түрткү берди.Тиристорду, түзөтүүчү диодду, Шоттки модулун, IGCT, IGBT, жогорку чыңалуудагы жана жогорку ток тиристорун, ошондой эле ультра тез калыбына келтирүүчү диоддор үчүн пилоттук сыноо платформасын куруунун толук процесстик мүмкүнчүлүгү Рунауда ийгиликтүү болду.Кытайда энергетикалык электроника аппаратынын өндүрүш базасын куруу үчүн дагы бир катуу кадам, биз жолдо баратабыз.